據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子近期具體化了背面供電技術(shù)的商用時間表。三星電子代工部門首席技術(shù)官（CTO）Gitae Jeong在最近的一次論壇上表示，“我們計劃在2027年將BSPDN應(yīng)用到1.4nm工藝中。”

背部供電（BSPDN）技術(shù)是一項應(yīng)用于先進半導(dǎo)體的創(chuàng)新技術(shù)，旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力，但至今仍未在全球范圍內(nèi)實施。這也是三星電子首次披露其 BSPDN 開發(fā)進程。

雖然目前半導(dǎo)體行業(yè)已不再使用柵極長度和金屬半節(jié)距來為技術(shù)節(jié)點進行系統(tǒng)命名，但毫無疑問目前的工藝技術(shù)也是數(shù)字越小越先進。

隨著半導(dǎo)體工藝微縮路線不斷地向前發(fā)展，集成電路內(nèi)電路與電路間的距離也不斷縮窄，從而對彼此產(chǎn)生干擾，而 BSPDN 技術(shù)則可以克服這一限制，這是因為我們可以利用晶圓背面來構(gòu)建供電路線，以分隔電路和電源空間。

三星電子公開其背面供電計劃后，代工行業(yè)競爭將更加激烈，各家企業(yè)爭奪技術(shù)領(lǐng)先地位。目前，三家公司占據(jù)主導(dǎo)地位。英特爾被認為是背面供電技術(shù)最先進的公司，計劃2024年通過應(yīng)用該技術(shù)來量產(chǎn)半導(dǎo)體，用于Intel 20A（2nm級）工藝。英特爾還創(chuàng)建了自己的技術(shù)品牌“Powervia”，以強調(diào)背面供電技術(shù)的優(yōu)越性。臺積電也計劃在2nm以下工藝中應(yīng)用該技術(shù)，目標預(yù)計在2026年之前實現(xiàn)。