為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。

最近推出的 SemiQ SiC 模塊建立在高性能陶瓷的堅實基礎上，經過精心設計，可在苛刻的環境下始終如一地運行，實現了異常高的性能水平。改進的功能可實現更簡化的設計配置和更高的功率密度。高擊穿電壓 (> 1,400 V)，高溫工作 (TJ= 175°C)，以及在整個工作溫度范圍內的低 Rds(On) 位移是 QSiC 模塊的所有特性。此外，它們還提供最長的柵極氧化層壽命和穩定性、抗雪崩 (UIS) 和更長的短路耐受時間。

電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉換器、電動壓縮機、燃料電池轉換器、醫療電源、儲能系統、太陽能和風能系統、數據中心電源、UPS/PFC電路以及其他汽車和工業電源應用是新型 QSiC 模塊與我們現有的 SOT-227 SiC SBD 模塊結合使用的目標市場。

為確保每個新的QSiC模塊都具有穩定的柵極閾值電壓和高質量的柵極氧化物，所有模塊都經過晶圓級的柵極老化測試。除了有助于穩定外在故障率的老化測試外，還進行了包括高溫反向偏置 (HTRB) 漏極應力、高濕度、高壓和高溫 (H3TRB) 漏極應力在內的應力測試，以保證工業使用所需的質量水平。

SemiQ 的新型 1,200V SOT-227 模塊提供 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ SiC MOSFET 尺寸。